专利摘要显示，本申请公开了一种集成电路、其制备方法及电子设备，集成电路包括：衬底，位于衬底之上的沟道层；其中，沟道层的表面可以包括有源区、绝缘区和导电通道，绝缘区围绕有源区设置，导电通道穿过绝缘区且连通有源区和集成电路的边缘。通过在沟道层的表面形成导电通道可以将有源区连通至集成电路的边缘，使在有源区可能产生的静电电荷通过集成电路边缘尽快导走，避免电荷积累产生静电损伤甚至烧毁集成电路。