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江南app官方网站下载入口台积电取得集成电路专利提供设置于半导体衬底上的第一及第二半导体装置

作者:小编    发布时间:2023-12-03 23:55:58    浏览量:

  金融界2023年12月2日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路”,授权公告号CN220121842U,申请日期为2023年5月。

  专利摘要显示,本实用新型提供一种集成电路(IC),所述集成电路包括设置于半导体衬底上的第一半导体装置及第二半导体装置。第一半导体装置包括第一闸极结构、第一源极区及第一汲极区。第一源极区及第一汲极区设置于第一阱区中。第二半导体装置包括第二闸极结构、第二源极区及第二汲极区。第二源极区及第二汲极区设置于第二阱区中。第一阱区及第二阱区包括第一掺杂类型。第一阱区自第二阱区在侧向上偏移第一距离。第三阱区设置于半导体衬底中且在侧向上位于第一阱区与第二阱区之间。第三阱区包括与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。

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