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中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure 1中的同步Buck 变换器，High-side
如果上管和下管同时导通，就会导致电源短路，MOS 管会损坏，甚至时电源损坏，这种损坏是灾难行动，必须避免．由于MOS 的开通和关断都是有时沿的，为了避免上管和下管同时导通，造成短路现象，从而引入了死区的概念，也就是上下管同时关断的区间，如图Figure2 中的E 和 F。
死区E---tDf上管关断，下管还没开启，下管体二极管续流，电流从最大值Io + ΔI/2 开始下降，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区E的电流恒定，以方便计算。
死区F---tDf下管关断，上管还没开启，下管体二极管续流，电流接近最小值Io - ΔI/2 ，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区F的电流恒定，以方便计算。
工程上快速估算时，也会用把两个死区的电流平均化，近似用Io替代， 一个完整的开关周期的死区损耗如下：
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就相反了。未完全打开，压降过大，导致功耗大，等效DC阻抗大，压降大，U*I大，
在导通时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度
是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的
的核心部分，它由一层金属和一层氧化物组成，金属层和氧化物层之间有一个很小的空隙，这个空隙可以控制电子的流动，从而控制
在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
的推挽电路很多都已集成在驱动芯片内部，输出能力很强，通常电流可达1A。
是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的
结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到
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在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，
时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出的部分要比
的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小
，利用饱和电感阻碍电流变化的特性，限制电流上升的速率，使电流与电压的波形尽可能小地重叠。
参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区（SOA）曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。
